Tsinghua大学已正式宣布！ EUV光震材材料的基本发
发表时间：2025年07月26日浏览量：
根据Tsinghua大学的官方网站，Tsinghua University化学系的Xu Huaping团队最近产生了重度紫外线（EUV）光刻材料的重要开发，并开发了一种基于多elloxane的新光电师，提供了新的设计策略制造。随着组合电路过程的发展到7nm节点及以下，EUV光刻的长度为13.5nm已成为一项主要技术。但是，EUV光源在便秘和低亮度的重大损失中，在吸收效率，反应机理和缺陷控制方面占据了较高的光震列需求。现有的EUV光抗抗 /通常取决于将化学或金属敏感簇提高到MAPIT的敏感性敏感，但通常具有复杂的结构，不均匀的组件，易于垃圾，并且很容易引入缺陷。学术界认为，精美的EUV光弹立物应该具有四个特征TIC：高EUV吸收能力，高能利用效率，分子均匀性以及尽可能小的建筑单元，以提高灵敏度，减少缺陷和线条粗糙度。 Polytelluroxane：理想的EUV光抗材料Xu Huaping Team已基于先前发明的Polytelluroxane开发了一种新的EUV光抗抗议所，以解决上述条件。在研究期间，团队通过TE -O键在聚合物框架中引入了高EUV，以吸收聚合物框架中的元素（TE）元素（TE），并使用了有效的Tellurium吸收能力和低键键离解的低发育，以实现高吸收和高敏感性阳性发展。该光致天由单尺度的小聚合分子组成，在简单设计下结合了完美的特征，为开发下一代EUV Photoresist提供了可行的路径。 Tsinghua大学说，这项研究中提出的光构得到的设计路径包括高吸收Te Ele预计，链断断裂和材料均匀性的基本机制将促进下一代EUV光刻材料的发展，并帮助改变高级半导体过程技术。 [本文的结尾]如果您需要打印，请确保指示来源：Kuai技术编辑：Shiqi 